更新时间：2022-09-04 14:08:34
图像仅供参考，商品以实物为准
DMG6601LVT-7 场效应管(MOSFET)
型号：
DMG6601LVT-7
品牌：
DIODES(美台)
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
参考价格：
￥0.54828
库存数量：
154
最小包装数量：
3,000 / 圆盘封装/规格：
TSOT-26
是否符合RoHS：
--
原厂标准交期：
--
分销商
暂时没有DMG6601LVT-7的分销商
规格参数
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.8A,2.5A
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
55mΩ @ 3.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
850mW
类型
N沟道和P沟道
