封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
栅源电压 Vgss ±8V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) 3.1A(Tc)
包装 剪切带(CT) ,带卷(TR) 
制造商标准提前期 15 周
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
安装类型 表面贴装(SMT)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) 112毫欧@2.8A,4.5V
功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
FET功能 -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF@10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC@4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V@250µA
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V
漏源极电压(Vdss) 20V
技术 MOSFET(金属氧化物)
FET类型 P沟道
零件状态 在售
系列 TrenchFET®
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求